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PBSS4140V中文资料

PBSS4140V图片

PBSS4140V外观图

  • 大小:62.34KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:40 V low VCEsat NPN transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.3mm
  • 封装类型:SSMini
  • 尺寸:0.6 x 1.7 x 1.3mm
  • 引脚数目:6
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:1200 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V
  • 最大直流集电极电流:1 A
  • 最大集电极-发射极电压:40 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.44 V
  • 最大集电极-基极电压:40 V
  • 最小直流电流增益:75 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:150 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单四集电极
  • 长度:1.7mm
  • 高度:0.6mm

PBSS4140V供应商

更新时间:2023-01-27 02:01:34
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